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InGaN/GaN多量子阱的PL譜和EL譜測試
● 樣品提供：KingAbdullahUniversity ofScience and Technology提供的基於藍寶石襯底MOCVD 生長的 InGaNGaN 量子阱
● 測試條件：325nm激發，功率30mW
● 快色视频污下载污範圍：340-700nm
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